晶閘管測試儀0-6000V  型號:KM1-DBC-025 

該測試儀是符合國標GB4023-83《半導體器件整流二極管的測試方法》和GB-4024-83《半導體反向阻斷
三極晶閘管的測試方法》，能測試各種晶閘管（KP、KK、KA、KS）及晶閘管模塊的VDSM、VRSM、VDRM、
VRRM、IDSM、IRSM、IDRM、IRRM與各種整流二極管（ZP、ZK）的VRSM、VRRM、IRSM、IRRM等參數(shù)。
IGBT、場效應管、整流橋、固態(tài)繼電器、光耦等半導體器件都可測試。線路設(shè)計簡潔精煉，采用單片機控制，
具有體積小、重量輕、操作簡單、測試準確、保護可靠和維修方便等特點，是晶閘管可控硅及整流管等半導體
器件生產(chǎn)單位、經(jīng)銷商及整機生產(chǎn)單位用來檢測器件伏安特性（也叫阻斷特性）參數(shù)的 為理想的檢測設(shè)備。

晶閘管測試儀0-6000V  型號:KM1-DBC-025 
主要技術(shù)指標：
1．峰值電壓測量范圍：0—3000V、0—4500V、0—6000V、0—9000V可選，也可定制其它范圍
2．峰值漏電流測量范圍：0—100mA、0—200mA可選，也可定制其它范圍
3．峰值漏電流保護設(shè)定范圍：0—99mA、0—198mA
4．機內(nèi)液晶示波器可觀看動態(tài)峰值電壓與峰值漏電流的變化伏安特性曲線波形
儀器測試使用方法：
1．檢查高壓調(diào)節(jié)旋鈕反時針調(diào)到零，打開電源開關(guān)，按極性接好被測管。
2．根據(jù)個人習慣，調(diào)節(jié)示波器的各項功能（光點位置、顏色、粗細等）至 合適狀態(tài)。
3．將保護設(shè)定調(diào)在要求保護的漏電流值。撥碼開關(guān)上面的一個數(shù)字代表1mA， 多可以設(shè)定到99mA，一般
測室溫電壓時，保護設(shè)定在5mA左右。
4．將正向／反向按鈕置于正向（不按下時），緩慢順時針調(diào)節(jié)高壓調(diào)節(jié)旋鈕，觀察示波器，當波形出現(xiàn)拐點，
漏電流表上也顯示有漏電流時，此時的電壓即為正向不重復峰值電壓。一般取不重復峰值電壓的90%為重復峰值電壓，將電壓調(diào)至重復峰值電壓，此電壓下的漏電流即為重復峰值漏電流。然后將高壓調(diào)節(jié)旋鈕反時針調(diào)到零，再將正向／反向按鈕置于反向（按下時），用同樣的方法測出反向不重復峰值電壓，反向重復峰值電壓和反向重復峰值漏電流。在測試過程中若因漏電流超過保護設(shè)定值則保護動作，保護指示燈亮，設(shè)備自動斷開加在被測管Ａ、Ｋ端的高壓，此時將高壓調(diào)節(jié)旋鈕反時針旋到底，儀器即自動復位。
使用注意事項：
1．三線電源插頭的地端要可靠接地，以確保測試人員的。
2．測試峰值電壓后，應養(yǎng)成習慣及時將高壓調(diào)節(jié)旋鈕調(diào)到零，禁止在加上高壓時調(diào)節(jié) 保護設(shè)定及正反向，測試
過程中嚴禁用手觸摸元件導電部分，以免電擊。
3．測試不帶散熱器的管芯時，要加一定的壓力，以免管芯內(nèi)部接觸不良產(chǎn)生測試誤差，或因為內(nèi)部打火損壞
被測元件。
4．測試元件耐壓時應盡量不要測到保護動作，以確保元件不被擊穿損壞。
0-6000V主要技術(shù)指標：
1．峰值電壓測量范圍：0—6000V
2．峰值漏電流測量范圍：0—200mA
3．峰值漏電流保護設(shè)定范圍：0—198mA
4．機內(nèi)示波器可觀看動態(tài)峰值電壓與峰值漏電流的變化伏安特性曲線波形